語系:
繁體中文
English
說明(常見問題)
校園入口網
登入
回首頁
切換:
標籤
|
MARC模式
|
ISBD
Power(大功率)MOSFET/IGBT應用設計技術
~
山崎浩
Power(大功率)MOSFET/IGBT應用設計技術
紀錄類型:
書目-語言資料,印刷品 : 單行本
作者:
山崎浩,
其他作者:
白中和,
出版地:
[臺北縣]永和市
出版者:
建興文化;
出版年:
2003[民92]
版本:
第一版
面頁冊數:
9,232面圖,表格 : 21公分;
標題:
電路 -
附註:
工業用書
ISBN:
957-817-677-5
Power(大功率)MOSFET/IGBT應用設計技術
山崎, 浩
Power(大功率)MOSFET/IGBT應用設計技術
/ 山崎浩著 ; 白中和譯 - 第一版. - [臺北縣]永和市 : 建興文化, 2003[民92]. - 9,232面 ; 圖,表格 ; 21公分.
工業用書.
ISBN 957-817-677-5
電路
白, 中和
Power(大功率)MOSFET/IGBT應用設計技術
LDR
:00630nam0 0000205 i
001
44498
005
20230119122502.0
009
00005813
010
0
$a
957-817-677-5
$b
平裝
$d
新臺幣340元
100
$a
20071211d2003 m y0chiy08 e
101
1
$a
chi
$c
jpn
102
$a
tw
105
$a
ak z 000yy
200
1
$a
Power(大功率)MOSFET/IGBT應用設計技術
$f
山崎浩著
$g
白中和譯
205
$a
第一版
210
$a
[臺北縣]永和市
$d
2003[民92]
$c
建興文化
215
0
$a
9,232面
$c
圖,表格
$d
21公分
300
$a
工業用書
606
$a
電路
$3
12728
$2
csh
$3
116345
681
$a
448.62
$b
8663
700
$a
山崎
$b
浩
$4
著
$3
43431
702
$a
白
$b
中和
$4
譯
$3
23933
801
0
$a
tw
$b
臺東專校
$c
20071211
$g
CCR
$m
4
801
1
$a
tw
$b
臺東專校
$c
20071211
$g
CCR
$m
4
筆 0 讀者評論
館藏地:
全部
誠樸總館3F中文書區
出版年:
卷號:
館藏
1 筆 • 頁數 1 •
1
尋書單
條碼號
典藏地名稱
館藏流通類別
資料類型
索書號
使用類型
借閱狀態
預約人數
調閱人數
備註欄
附件
列印
051582
誠樸總館3F中文書區
一般圖書（BOOK）
一般圖書
448.62 8663 92
一般使用(Normal)
在架
0
0
1 筆 • 頁數 1 •
1
評論
新增評論
分享你的心得
建立或儲存個人書籤
書目轉出
取書館別
處理中
...
變更密碼
登入